Dotés d'une conception à ouverture supérieure facile à utiliser, ces sacs de blindage statique offrent une protection contre l'électricité statique pour les dispositifs électroniques sensibles aux décharges électrostatiques (DES). Ils mesurent 5 x 7" et comportent le symbole de protection DES ainsi qu'un code de lot pour la traçabilité.
Dotés d'une conception à ouverture supérieure facile à utiliser, ces sacs de blindage statique offrent une protection contre l'électricité statique pour les dispositifs électroniques sensibles aux décharges électrostatiques (DES). Ils mesurent 5 x 7" et comportent le symbole de protection DES ainsi qu'un code de lot pour la traçabilité.
Conçu pour offrir un environnement protégé contre l'électricité statique pour les dispositifs électroniques sensibles aux DES, le sac est imprimé avec un symbole de protection DES et un code de lot pour la traçabilité. Il est fabriqué à partir d'un stratifié de polyester, de métal et de polyéthylène. Le diélectrique en polyester, de concert avec la couche métallique, assure un blindage contre les décharges, tandis que l'extérieur dissipateur d'électricité statique permet d'éliminer les charges électrostatiques lorsqu'il est mis à la terre.
Caractéristiques
| Caractéristiques physiques | |
| Résistance à la traction | Valeur typique: 4600 psi, 32 mpa Méthode d'essai: ASTM D882 |
| Résistance à la perforation | Valeur typique: 5.44 kg (12 lbs), 53 N Méthode d'essai: MIL-STD-3010C Méthode 2065 |
| Résistance du scellage | Valeur typique: 4.99 kg (11 lbs), 48 N Méthode d'essai: ASTM D882 |
| Épaisseur | Valeur typique: 2.8 mils, 0.071 mm ±10% Méthode d'essai: MIL-STD-3010C Méthode 1003 |
| Adhérence du marquage | Valeur typique: Réussite Méthode d'essai: IPC-TM-650 2.4.1 |
| Transparence | Valeur typique: 40% Méthode d'essai: Tobias |
| Caractéristiques électriques | |
| Blindage DES | Valeur typique: <10 nJ Méthode d'essai: ANSI/ESD STM11.31 |
| Résistance de surface - Intérieur | Valeur typique: 1 x 104 à <1 x 1011 Ω Méthode d'essai: ANSI/ESD STM11.11 |
| Résistance de surface - Extérieur | Valeur typique: <1 x 1011 Ω Méthode d'essai: ANSI/ESD STM11.11 |
| Décroissance statique | Valeur typique: <2 secondes Méthode d'essai: ETS 406D |
| Propreté | |
| Silicone | Valeur typique: Non détecté Méthode d'essai: FTIR |
| Conditions de thermoscellage | |
| Température | 149 à 190°C (300 à 375°F) |
| Temps | 0.5 à 3.5 secondes |
| Pression | 30 à 70 psi, 206 à 482 kPa |
| Caractéristiques physiques | |
| Résistance à la traction | Valeur typique: 4600 psi, 32 mpa Méthode d'essai: ASTM D882 |
| Résistance à la perforation | Valeur typique: 5.44 kg (12 lbs), 53 N Méthode d'essai: MIL-STD-3010C Méthode 2065 |
| Résistance du scellage | Valeur typique: 4.99 kg (11 lbs), 48 N Méthode d'essai: ASTM D882 |
| Épaisseur | Valeur typique: 2.8 mils, 0.071 mm ±10% Méthode d'essai: MIL-STD-3010C Méthode 1003 |
| Adhérence du marquage | Valeur typique: Réussite Méthode d'essai: IPC-TM-650 2.4.1 |
| Transparence | Valeur typique: 40% Méthode d'essai: Tobias |
| Caractéristiques électriques | |
| Blindage DES | Valeur typique: <10 nJ Méthode d'essai: ANSI/ESD STM11.31 |
| Résistance de surface - Intérieur | Valeur typique: 1 x 104 à <1 x 1011 Ω Méthode d'essai: ANSI/ESD STM11.11 |
| Résistance de surface - Extérieur | Valeur typique: <1 x 1011 Ω Méthode d'essai: ANSI/ESD STM11.11 |
| Décroissance statique | Valeur typique: <2 secondes Méthode d'essai: ETS 406D |
| Propreté | |
| Silicone | Valeur typique: Non détecté Méthode d'essai: FTIR |
| Conditions de thermoscellage | |
| Température | 149 à 190°C (300 à 375°F) |
| Temps | 0.5 à 3.5 secondes |
| Pression | 30 à 70 psi, 206 à 482 kPa |