Designed for the shipment and storage of ESD-sensitive electronic devices, these static shielding bags feature an open top for easy access. The 18 x 24" bags are also printed with the ESD protective symbol, as well as a lot code for convenient tracing.
Designed for the shipment and storage of ESD-sensitive electronic devices, these static shielding bags feature an open top for easy access. The 18 x 24" bags are also printed with the ESD protective symbol, as well as a lot code for convenient tracing.
Ce sac de blindage statique transparent à couche métallique externe est conçu pour fournir un emballage antistatique sécuritaire pour l'expédition et/ou le stockage d'articles sensibles aux décharges électrostatiques (DES), y compris à l'extérieur des zones protégées contre les DES. Les sacs sont imprimés avec un symbole de protection DES et un code de lot pour la traçabilité. Des styles à ouverture par le haut et à fermeture à glissière (ZipTop) sont disponibles. Les sacs sont thermoscellables.
Caractéristiques
| Résistance à la perforation | 4.54 kg (10 lbs), 44 N MIL-STD-3010 Méthode 2065 |
| Force de scellage | 6.35 kg (14 lbs), 62 N ASTM D882 |
| Épaisseur | 3mils, 0.076 mm +/-10% MIL-STD-3010 Méthode 1003 Méthode B |
| Adhérence du marquage | Réussi IPC-TM-650 2.4.1 |
| Transparence | 40% Tobias |
| Blindage contre les décharges | <10nJ ANSI/ESD STM11.31 |
| Résistance de surface - Intérieur | 1 x 104 à < 1 x 1011Ω ANSI/ESD STM11.11 |
| Résistance de surface - Extérieur | 1 x 104 à < 1 x 106Ω ANSI/ESD STM11.11 |
| Rétention de charge | <<100 V |
| Résistance à la perforation | 4.54 kg (10 lbs), 44 N MIL-STD-3010 Méthode 2065 |
| Force de scellage | 6.35 kg (14 lbs), 62 N ASTM D882 |
| Épaisseur | 3mils, 0.076 mm +/-10% MIL-STD-3010 Méthode 1003 Méthode B |
| Adhérence du marquage | Réussi IPC-TM-650 2.4.1 |
| Transparence | 40% Tobias |
| Blindage contre les décharges | <10nJ ANSI/ESD STM11.31 |
| Résistance de surface - Intérieur | 1 x 104 à < 1 x 1011Ω ANSI/ESD STM11.11 |
| Résistance de surface - Extérieur | 1 x 104 à < 1 x 106Ω ANSI/ESD STM11.11 |
| Rétention de charge | <<100 V |